发明授权
- 专利标题： Nitride semiconductor laser
- 专利标题（中）： 氮化物半导体激光器
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申请号： US11090340申请日： 2005-03-25
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公开(公告)号： US07135772B2公开(公告)日： 2006-11-14
- 发明人: Shigetaka Tomiya , Tomonori Hino
- 申请人： Shigetaka Tomiya , Tomonori Hino
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Sonnenschein Nath & Rosenthal LLP
- 优先权： JPP2001-169440 20010605
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L21/00
摘要：
The present invention is a nitride compound semiconductor laser, in which a cleaved end face is flat, and a breakdown of a laser end face induced during an operation can be suppressed, which consequently enables a life to be prolonged. In the nitride compound semiconductor laser, a stress concentration suppression layer is formed between an active layer and a cap layer.
公开/授权文献
- US20050167835A1 Nitride semiconductor laser 公开/授权日：2005-08-04
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