发明授权
- 专利标题： Methods for producing silicon nitride films and silicon oxynitride films by thermal chemical vapor deposition
- 专利标题（中）： 通过热化学气相沉积制造氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
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申请号： US10669623申请日： 2003-09-24
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公开(公告)号： US07192626B2公开(公告)日： 2007-03-20
- 发明人: Christian Dussarrat , Jean-Marc Girard , Takako Kimura , Naoki Tamaoki , Yuusuke Sato
- 申请人： Christian Dussarrat , Jean-Marc Girard , Takako Kimura , Naoki Tamaoki , Yuusuke Sato
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： L'Air Liquide, Société Anonyme á Directoire et Conseil de Surveillance pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人： L'Air Liquide, Société Anonyme á Directoire et Conseil de Surveillance pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理商 Linda K. Russell; Christopher J. Cronin
- 优先权： JP2002-279880 20020925
- 主分类号： C23C16/34
- IPC分类号： C23C16/34
摘要：
Silicon nitride film is formed on substrate by feeding trisilylamine and ammonia into a CVD reaction chamber that contains a substrate. The ammonia gas/trisilylamine gas flow rate ratio is set to a value of at least about 10 and/or the thermal CVD reaction is run at a temperature no greater than about 600° C. Silicon oxynitride is obtained by introducing an oxygen source gas into the CVD reaction chamber. This method avoids the production of ammonium chloride and/or the incorporation of carbonaceous contaminants which are detrimental to the quality of the deposited film.
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