发明授权
US07230258B2 Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source
有权
用于极紫外（EUV）光源的等离子体碎片减轻
- 专利标题： Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source
- 专利标题（中）： 用于极紫外（EUV）光源的等离子体碎片减轻
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申请号： US10628129申请日： 2003-07-24
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公开(公告)号： US07230258B2公开(公告)日： 2007-06-12
- 发明人: David Ruzic , Robert Bristol , Bryan J. Rice
- 申请人： David Ruzic , Robert Bristol , Bryan J. Rice
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Fish & Richardson P.C.
- 主分类号： G01J3/10
- IPC分类号： G01J3/10 ; H05G2/00
摘要：
A light source chamber in an Extreme Ultraviolet (EUV) lithography system may include a secondary plasma to ionize debris particles created by the light source and a foil trap to trap the ionize particles to avoid contamination of the collector optics in the chamber.
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