发明授权
- 专利标题： Semiconductor device with asymmetric pocket implants
- 专利标题（中）： 具有不对称口袋植入物的半导体器件
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申请号： US11245377申请日： 2005-10-06
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公开(公告)号： US07253062B2公开(公告)日： 2007-08-07
- 发明人: Yin-Pin Wang , Chin-Sheng Chang
- 申请人： Yin-Pin Wang , Chin-Sheng Chang
- 申请人地址： TW Taiwan
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Taiwan
- 代理机构： Duane Morris LLP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/425
摘要：
A semiconductor device (1) has a source (2) a gate (3) and a drain (4), a single deep-pocket ion implant (8) in a source-drain depletion region, and a single shallow-pocket ion implant (9) in the source-drain depletion region.
公开/授权文献
- US20060081925A1 Semiconductor device with asymmetric pocket implants 公开/授权日：2006-04-20
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IPC分类:
