发明授权
- 专利标题： Vapor HF etch process mask and method
- 专利标题（中）： 蒸气HF蚀刻工艺掩模和方法
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申请号： US11397409申请日： 2006-04-04
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公开(公告)号： US07338614B2公开(公告)日： 2008-03-04
- 发明人: John R. Martin , Timothy J. Brosnihan
- 申请人： John R. Martin , Timothy J. Brosnihan
- 申请人地址： US MA Norwood
- 专利权人： Analog Devices, Inc.
- 当前专利权人： Analog Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： US MA Norwood
- 代理机构： Bromberg & Sunstein LLP
- 主分类号： B44C1/22
- IPC分类号： B44C1/22 ; C03C15/00 ; C03C25/68 ; C23F1/00
摘要：
A method of processing a semiconductor wafer provides a wafer, and then forms an organic mask on at least a portion of the wafer. The method then applies a vapor etching process to the wafer through holes in the organic mask.
公开/授权文献
- US20060223329A1 Vapor HF etch process mask and method 公开/授权日：2006-10-05
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