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发明授权
US07344986B2 Plating solution, semiconductor device and method for manufacturing the same 有权
电镀液，半导体装置及其制造方法

Plating solution, semiconductor device and method for manufacturing the same
摘要：
The present invention relates to a plating solution useful for forming embedded interconnects by embedding a conductive material in fine recesses for interconnects provided in the surface of a substrate, such as a semiconductor substrate, or for forming a protective layer for protecting the surface of embedded interconnects, a semiconductor device manufactured by using the plating solution and a method for manufacturing the semiconductor device. The plating solution contains copper ions, metal ions of a metal, and the metal is capable of forming with copper a copper alloy in which the metal does not form a solid solution with copper, a complexing agent, and a reducing agent free from alkali metal.
摘要（中）：

本发明涉及一种用于通过将导电材料嵌入到设置在诸如半导体衬底的衬底的表面中的互连的精细凹槽中的用于形成嵌入式互连的电镀液，或用于形成用于保护嵌入式互连的表面的保护层 ，使用电镀液制造的半导体装置及其制造方法。 电镀溶液含有铜离子，金属的金属离子，金属能够与铜形成铜合金，其中金属不与铜形成固溶体，络合剂和不含碱金属的还原剂 。

公开/授权文献
信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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