发明授权
- 专利标题： Forming method and forming system for insulation film
- 专利标题（中）： 绝缘膜成型方法及成型系统
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申请号： US11636695申请日： 2006-12-11
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公开(公告)号： US07374635B2公开(公告)日： 2008-05-20
- 发明人: Shigemi Murakawa , Toshikazu Kumai , Toshio Nakanishi
- 申请人： Shigemi Murakawa , Toshikazu Kumai , Toshio Nakanishi
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Crowell & Moring LLP
- 优先权： JP2001-260179 20010829
- 主分类号： C23F1/02
- IPC分类号： C23F1/02
摘要：
A gate insulation film (104) of a MISFET (100) is constituted of a silicon oxide film (106), silicon nitride film (107), and high-permittivity film (108). The silicon oxide film (106) and silicon nitride film (107) are formed by microwave plasma processing with a radial line slot antenna.
公开/授权文献
- US20070085154A1 Forming method and forming system for insulation film 公开/授权日：2007-04-19
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IPC分类:
