Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers

发明授权

US07400009B2 Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers 有权

标题翻译：浮置阱非易失性半导体存储器件包括高介电常数阻挡绝缘层

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专利标题： Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers
专利标题（中）： 浮置阱非易失性半导体存储器件包括高介电常数阻挡绝缘层
申请号： US11043485

申请日： 2005-01-26
公开(公告)号： US07400009B2

公开(公告)日： 2008-07-15
发明人: Chang-Hyun Lee , Jung-Dal Choi , Byoung-Woo Ye
申请人： Chang-Hyun Lee , Jung-Dal Choi , Byoung-Woo Ye
申请人地址： KR
专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
当前专利权人地址： KR
代理机构： Myers Bigel Sibley & Sajovec, P.A.
优先权： KR2001-0037421 20010628; KR2002-0005622 20020131
主分类号： H01L29/788
IPC分类号： H01L29/788

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers

摘要：

Floating trap non-volatile memory devices and methods are provided. The memory devices include a semiconductor substrate and an adjacent gate electrode. Between the substrate and the gate electrode may be a tunneling insulating layer having a first dielectric constant, a blocking insulating layer having a second dielectric constant that is greater than the first dielectric constant, and a charge storage layer.

摘要（中）：

提供浮动阱非易失性存储器件和方法。存储器件包括半导体衬底和相邻的栅电极。在基板和栅电极之间可以是具有第一介电常数的隧道绝缘层，具有大于第一介电常数的第二介电常数的阻挡绝缘层和电荷存储层。

公开/授权文献

US20050128816A1 Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers 公开/授权日：2005-06-16

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788	......带有浮栅的