发明授权
- 专利标题： Method to planarize and reduce defect density of silicon germanium
- 专利标题（中）： 平面化和降低硅锗缺陷密度的方法
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申请号： US10799335申请日： 2004-03-12
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公开(公告)号： US07427556B2公开(公告)日： 2008-09-23
- 发明人: Pierre Tomasini , Nyles Cody , Chantal Arena
- 申请人： Pierre Tomasini , Nyles Cody , Chantal Arena
- 申请人地址： US AZ Phoenix
- 专利权人： ASM America, Inc.
- 当前专利权人： ASM America, Inc.
- 当前专利权人地址： US AZ Phoenix
- 代理机构： Knobbe, Martens, Olson & Bear LLP
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; C30B23/00
摘要：
A method for blanket depositing a SiGe film comprises intermixing a silicon source, a germanium source and an etchant to form a gaseous precursor mixture. The method further comprises flowing the gaseous precursor mixture over a substrate under chemical vapor deposition conditions to deposit a blanket layer of epitaxial SiGe onto the substrate, whether patterned or un-patterned.