发明授权
US07435683B2 Apparatus and method for selectively recessing spacers on multi-gate devices
有权
用于在多栅极器件上选择性地凹入间隔物的装置和方法
- 专利标题： Apparatus and method for selectively recessing spacers on multi-gate devices
- 专利标题（中）： 用于在多栅极器件上选择性地凹入间隔物的装置和方法
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申请号： US11521624申请日： 2006-09-15
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公开(公告)号： US07435683B2公开(公告)日： 2008-10-14
- 发明人: Jack T. Kavalieros , Uday Shah , Willy Rachmady , Brian S. Doyle
- 申请人： Jack T. Kavalieros , Uday Shah , Willy Rachmady , Brian S. Doyle
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Intel Corporation
- 代理商 Kenneth A. Nelson
- 主分类号： H01L21/461
- IPC分类号： H01L21/461
摘要：
Embodiments of an apparatus and methods for fabricating a spacer on one part of a multi-gate transistor without forming a spacer on another part of the multi-gate transistor are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
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