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发明授权
US07446047B2 Metal structure with sidewall passivation and method 有权
金属结构与侧壁钝化和方法

Metal structure with sidewall passivation and method
摘要：
A passivated metal structure and a method of forming the metal structure is disclosed. According to one embodiment, the patterned metal structure, such as conductive lines, are formed on a substrate. The copper lines are passivated by a polymer liner between the copper lines and a low k dielectric filling the spaces between the conductive lines. The polymer liner is preferably deposited on the sidewalls of the conductive lines by electro-grafting. The polymer liner may also be used in a damascene process according to a second embodiment.
摘要（中）：

公开了钝化金属结构和形成金属结构的方法。 根据一个实施例，图案化的金属结构，例如导电线，形成在基板上。 铜线由铜线之间的聚合物衬垫和填充导电线之间的空间的低k电介质钝化。 聚合物衬垫优选通过电接枝沉积在导电线的侧壁上。 聚合物衬垫也可以用于根据第二实施例的镶嵌工艺中。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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