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发明授权
US07459762B2 Programmable resistance memory element with threshold switching material 有权
具有阈值开关材料的可编程电阻存储元件

  • 专利标题： Programmable resistance memory element with threshold switching material
  • 专利标题（中）： 具有阈值开关材料的可编程电阻存储元件
  • 申请号： US11339868
    申请日： 2006-01-26
  • 公开(公告)号： US07459762B2
    公开(公告)日： 2008-12-02
  • 发明人: Sergey A. Kostylev , Wolodymyr Czubatyj
  • 申请人： Sergey A. Kostylev , Wolodymyr Czubatyj
  • 申请人地址： US MI Rochester Hills
  • 专利权人： Ovonyx, Inc.
  • 当前专利权人： Ovonyx, Inc.
  • 当前专利权人地址： US MI Rochester Hills
  • 代理商 Kevin L. Bray
  • 主分类号： H01L29/86
  • IPC分类号： H01L29/86
Programmable resistance memory element with threshold switching material
摘要：
A programmable resistance memory element comprising a dielectric material between a programmable resistance memory material and a threshold switching material.
摘要（中）：

一种可编程电阻存储元件，包括在可编程电阻存储器材料和阈值开关材料之间的介电材料。

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