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US07468239B2 Mask for photolithography, method of forming thin film, liquid crystal display device, and method of producing the liquid crystal display device 有权
光刻用掩模，薄膜形成方法，液晶显示装置以及液晶显示装置的制造方法

  • 专利标题： Mask for photolithography, method of forming thin film, liquid crystal display device, and method of producing the liquid crystal display device
  • 专利标题（中）： 光刻用掩模，薄膜形成方法，液晶显示装置以及液晶显示装置的制造方法
  • 申请号： US10953301
    申请日： 2004-09-29
  • 公开(公告)号： US07468239B2
    公开(公告)日： 2008-12-23
  • 发明人: Masato Imai , Akira Maehara , Yoko Fukunaga
  • 申请人： Masato Imai , Akira Maehara , Yoko Fukunaga
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： Sony Corporation
  • 当前专利权人： Sony Corporation
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 代理机构： Rockey, Depke & Lyons, LLC
  • 代理商 Robert J. Depke
  • 优先权： JP2001-380338 20011213
  • 主分类号： G03F7/20
  • IPC分类号： G03F7/20
Mask for photolithography, method of forming thin film, liquid crystal display device, and method of producing the liquid crystal display device
摘要：
A mask for photolithography in which a semi-transmission film is formed so that the phase difference of lights passing through a semi-transmission portion and a transmission portion of the mask for photolithography is between (−¼+2 m) π and (¼+2 m) π inclusive, where m is an integer. The invention makes it possible to efficiently and properly form a thin film having a multi-step structure by a single process.
摘要（中）：

一种用于光刻的掩模，其中形成半透射膜，使得通过光刻的掩模的半透射部分和透射部分的光的相位差在（-¼+2μm）pi和（¼+ 2 m）pi，其中m是整数。 本发明使得可以通过单一工艺有效且适当地形成具有多步结构的薄膜。

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