利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
US07485505B2 Thin-film transistor, method for manufacturing thin-film transistor, and display using thin-film transistors 失效
薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法以及使用薄膜晶体管的显示器

Thin-film transistor, method for manufacturing thin-film transistor, and display using thin-film transistors
摘要：
The present invention provides a thin-film transistor offering a higher electron (or hole) mobility, a method for manufacturing the thin-film transistor, and a display using the thin-film transistor. The present invention provides a thin-film transistor having a source region, a channel region, and a drain region in a semiconductor thin film with a crystal grown in a horizontal direction, the thin-film transistor having a gate insulating film and a gate electrode over the channel region, wherein a drain edge of the drain region which is adjacent to the channel region is formed in the vicinity of a crystal growth end position.
摘要（中）：

本发明提供了提供更高电子（或空穴）迁移率的薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法和使用该薄膜晶体管的显示器。 本发明提供一种具有在水平方向上生长的晶体的半导体薄膜中的源极区，沟道区和漏极区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极绝缘膜和栅电极 在沟道区域上形成漏极区的与沟道区相邻的漏极边缘在晶体生长终点附近。

公开/授权文献
信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
0/0