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US07508021B2 RF power transistor device with high performance shunt capacitor and method thereof 有权
具有高性能并联电容器的RF功率晶体管器件及其方法

RF power transistor device with high performance shunt capacitor and method thereof
摘要：
An integrated shunt capacitor comprises a bottom plate (86,88), a capacitor dielectric (92) overlying a portion of the bottom plate, a top plate (62) overlying the capacitor dielectric, a shield (74) overlying a portion of the top plate (62); and a metallization feature (70) disposed about and isolated from at least two sides of the top plate (62), the metallization feature (70) for coupling the bottom plate (86,88) to the shield (74). In one embodiment, an RF power transistor has an impedance matching network including an integrated shunt capacitor as described herein.
摘要（中）：

集成分流电容器包括底板（86,88），覆盖在底板的一部分上的电容器电介质（92），覆盖电容器电介质的顶板（62），覆盖顶部的一部分的屏蔽（74） 板（62）; 以及金属化特征（70），其设置在所述顶板（62）的至少两侧周围并与所述顶板隔离，所述金属化特征（70）用于将所述底板（86,88）联接到所述屏蔽件（74）。 在一个实施例中，RF功率晶体管具有包括本文所述的集成分流电容器的阻抗匹配网络。

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