发明授权
- 专利标题： Technique for providing stress sources in MOS transistors in close proximity to a channel region
- 专利标题（中）： 在靠近沟道区的MOS晶体管中提供应力源的技术
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申请号： US11558982申请日： 2006-11-13
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公开(公告)号： US07510926B2公开(公告)日： 2009-03-31
- 发明人: Andy Wei , Thorsten Kammler , Jan Hoentschel , Manfred Horstmann
- 申请人： Andy Wei , Thorsten Kammler , Jan Hoentschel , Manfred Horstmann
- 申请人地址： US TX Austin
- 专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： US TX Austin
- 代理机构： Williams, Morgan & Amerson, P.C.
- 优先权： DE102006015075 20060331
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238
摘要：
A strained semiconductor material may be positioned in close proximity to the channel region of a transistor, such as an SOI transistor, while reducing or avoiding undue relaxation effects of metal silicides and extension implantations, thereby providing enhanced efficiency for the strain generation.
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