发明授权
US07515483B2 Page buffer flash memory device and programming method using the same
失效
页面缓冲区闪存设备和编程方法使用相同
- 专利标题： Page buffer flash memory device and programming method using the same
- 专利标题（中）： 页面缓冲区闪存设备和编程方法使用相同
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申请号： US11480330申请日： 2006-06-30
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公开(公告)号： US07515483B2公开(公告)日： 2009-04-07
- 发明人: Jung Chul Han
- 申请人： Jung Chul Han
- 申请人地址： KR Icheon-si
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Icheon-si
- 代理机构： Townsend and Townsend and Crew LLP
- 优先权： KR10-2005-0088097 20050922
- 主分类号： G11C7/10
- IPC分类号： G11C7/10
摘要：
A page buffer of a flash memory device is configured to program two pages in a single programming operation. The page buffer of the flash memory device includes a first bit line selection unit, a second bit line selection unit, a separation unit, a precharge unit, a first register, and a second register.
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