发明授权
US07517743B2 Fully-depleted (FD) (SOI) MOSFET access transistor and method of fabrication
有权
全耗尽（FD）（SOI）MOSFET存取晶体管及其制造方法
- 专利标题： Fully-depleted (FD) (SOI) MOSFET access transistor and method of fabrication
- 专利标题（中）： 全耗尽（FD）（SOI）MOSFET存取晶体管及其制造方法
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申请号： US11588274申请日： 2006-10-27
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公开(公告)号： US07517743B2公开(公告)日： 2009-04-14
- 发明人: Hongmei Wang , John K. Zahurak
- 申请人： Hongmei Wang , John K. Zahurak
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Dickstein Shapiro LLP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
A fully-depleted (FD) Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET access transistor comprising a gate electrode of a conductivity type which is opposite the conductivity type of the source/drain regions and a method of fabrication are disclosed.
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