发明授权
- 专利标题： Method for producing silicon wafer and silicon wafer
- 专利标题（中）： 硅晶片和硅晶片的制造方法
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申请号： US10432861申请日： 2001-11-28
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公开(公告)号： US07521381B2公开(公告)日： 2009-04-21
- 发明人: Yoshinobu Nakada , Hiroyuki Shiraki
- 申请人： Yoshinobu Nakada , Hiroyuki Shiraki
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation
- 当前专利权人： Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Pillsbury Winthrop Shaw Pittman, LLP
- 优先权： JP2000-360913 20001128; JP2001-139216 20010509; JP2001-291145 20010925
- 国际申请： PCT/JP01/10385 WO 20011128
- 国际公布： WO02/45149 WO 20020606
- 主分类号： H01L21/26
- IPC分类号： H01L21/26 ; H01L21/42 ; H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L29/40
摘要：
A silicon wafer is thermal-annealed in an atmosphere to form new vacancies therein by thermal annealing and the atmosphere in the thermal annealing contains a nitride gas having a lower decomposition temperature than a decomposable temperature of N2 so that the thermal annealing is carried out at a lower temperature or for a short time to suppress generation of slip and to provide satisfactory surface roughness.
公开/授权文献
- US20040053516A1 Method for producing silicon wafer and silicon wafer 公开/授权日：2004-03-18
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