发明授权
US07531378B2 Forming an intermediate electrode between an ovonic threshold switch and a chalcogenide memory element
有权
在一个超声阈值开关和一个硫族化物记忆元件之间形成一个中间电极
- 专利标题： Forming an intermediate electrode between an ovonic threshold switch and a chalcogenide memory element
- 专利标题（中）： 在一个超声阈值开关和一个硫族化物记忆元件之间形成一个中间电极
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申请号： US11724112申请日： 2007-03-14
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公开(公告)号： US07531378B2公开(公告)日： 2009-05-12
- 发明人: John M. Peters
- 申请人： John M. Peters
- 申请人地址： US MI Rochester Hills
- 专利权人： Ovonyx, Inc.
- 当前专利权人： Ovonyx, Inc.
- 当前专利权人地址： US MI Rochester Hills
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/44
摘要：
An intermediate electrode between an ovonic threshold switch and a memory element may be formed in the same pore with the memory element. This may have many advantages including, in some embodiments, reducing leakage.
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