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    Forming heaters for phase change memories with select devices
    2.
    发明申请
    Forming heaters for phase change memories with select devices 审中-公开
    用选择装置形成用于相变存储器的加热器

    公开(公告)号：US20070279974A1

    公开(公告)日：2007-12-06

    申请号：US11447819

    申请日：2006-06-06

    申请人： Charles H. Dennison ,  John M. Peters

    发明人： Charles H. Dennison ,  John M. Peters

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L23/58

    CPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

    摘要： Rather than depositing a heater material into a pore, a heater material may be first blanket deposited over a select device. The heater material may then be covered by a mask, such that the mask and the heater material may be etched to form a stack. Then, the region between adjacent stacks that form separate cells may be filled with an insulator. After removing the mask material, a pore is then formed in the insulator over the heater. This may then be filled with chalcogenide to form a phase change memory.

    摘要翻译： 不是将加热器材料沉积到孔中，加热器材料可以首先被覆盖地沉积在选择装置上。 加热器材料然后可以被掩模覆盖，使得掩模和加热器材料可以被蚀刻以形成堆叠。 然后，可以用绝缘体填充形成分离单元的相邻叠层之间的区域。 在去除掩模材料之后，在加热器上的绝缘体中形成孔。 然后可以用硫属化物填充，以形成相变记忆。

    Forming heaters for phase change memories
    5.
    发明申请
    Forming heaters for phase change memories 审中-公开
    成型加热器用于相变存储器

    公开(公告)号：US20080153302A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US12074813

    申请日：2008-03-06

    申请人： John M. Peters

    发明人： John M. Peters

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

    摘要： Rather than depositing a heater material into a pore, a heater material may be first blanket deposited. The heater material may then be covered by a mask, such that the mask and the heater material may be etched to form a stack. Then, the region between adjacent stacks that form separate cells may be filled with an insulator. After removing the mask material, a pore is then formed in the insulator over the heater. This may then be filled with chalcogenide to form a phase change memory.

    摘要翻译： 加热器材料可以首先被覆盖而不是将加热器材料沉积到孔中。 加热器材料然后可以被掩模覆盖，使得掩模和加热器材料可以被蚀刻以形成堆叠。 然后，可以用绝缘体填充形成分离单元的相邻叠层之间的区域。 在去除掩模材料之后，在加热器上的绝缘体中形成孔。 然后可以用硫属化物填充，以形成相变记忆。

    Automation control with improved operator/system interface
    6.
    发明授权
    Automation control with improved operator/system interface 失效
    自动化控制与改进的操作员/系统界面

    公开(公告)号：US5243513A

    公开(公告)日：1993-09-07

    申请号：US690101

    申请日：1991-04-23

    申请人： John M. Peters

    发明人： John M. Peters

    IPC分类号： G05B19/10 ,  G11B27/028 ,  G11B27/34 ,  H03G3/00 ,  H03G3/02 ,  H04H60/04

    CPC分类号： H04H60/04 ,  G05B19/108 ,  G11B27/028 ,  G11B27/34 ,  H03G3/001 ,  H03G3/02 ,  G05B2219/23138 ,  G05B2219/23211 ,  G05B2219/25338

    摘要： An endless manual control for use in automation systems, such as automated recording consoles, which controls levels and other parameters of audio, video and other signals, by generating, storing, sending and receiving electronic control signals. The control's internal circuitry translates control movements into electronic signals describing the control's movements. These electronic signals, including external electronic signals which are inputed during certain modes of operation, are fed into a circuit for updating the circuit's memory of control levels. When either the minimum or maximum control level extreme is reached, the circuitry triggers a mechanism to stop the manual rotation of the control in the direction which had or would have caused that control level extreme to be reached.

    摘要翻译： 用于通过生成，存储，发送和接收电子控制信号来控制音频，视频和其他信号的级别和其他参数的自动化系统（例如自动化记录控制台）中的无限手动控制。 控制器的内部电路将控制运动转换为描述控制运动的电子信号。 这些电子信号，包括在某些操作模式期间输入的外部电子信号，被馈送到用于更新电路的存储器的控制电平的电路中。 当达到最小或最大控制极限极限时，电路将触发一种机制，以阻止控制器手动旋转已经或将会导致控制级别达到极限的方向。

    Method for forming a lateral phase change memory element
    7.
    发明授权
    Method for forming a lateral phase change memory element 有权
    用于形成横向相变存储元件的方法

    公开(公告)号：US08476612B2

    公开(公告)日：2013-07-02

    申请号：US13218331

    申请日：2011-08-25

    申请人： John M. Peters

    发明人： John M. Peters

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L47/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of manufacturing a phase change memory (PCM) includes forming a pinch plate layer transversely to a PCM layer that is insulated from the pinch plate layer by a dielectric layer. Biasing the pinch plate layer causes a depletion region to form in the PCM layer. During a read of the PCM in a reset or partial reset state the depletion region increases the resistance of the PCM layer significantly.

    摘要翻译： 制造相变存储器（PCM）的方法包括：通过介电层与夹层板绝缘的PCM层横向地形成压板层。 偏压夹层导致在PCM层中形成耗尽区。 在复位或部分复位状态下读取PCM期间，耗尽区显着增加了PCM层的电阻。

    FORMING PHASE CHANGE MEMORIES WITH A BREAKDOWN LAYER SANDWICHED BY PHASE CHANGE MEMORY MATERIAL
    9.
    发明申请
    FORMING PHASE CHANGE MEMORIES WITH A BREAKDOWN LAYER SANDWICHED BY PHASE CHANGE MEMORY MATERIAL 有权
    通过相变记忆材料形成具有破损层的相变记忆

    公开(公告)号：US20100163825A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：US12346507

    申请日：2008-12-30

    申请人： Charles H. Dennison ,  George A. Gordon ,  John M. Peters

    发明人： Charles H. Dennison ,  George A. Gordon ,  John M. Peters

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory cell may be formed with a pair of chalcogenide phase change layers that are separated by a breakdown layer. The breakdown layer may be broken down prior to use of the memory so that a conductive breakdown point is defined within the breakdown layer. In some cases, the breakdown point may be well isolated from the surrounding atmosphere, reducing heat losses and decreasing current consumption. In addition, in some cases, the breakdown point may be well isolated from overlying and underlying electrodes, reducing issues related to contamination. The breakdown point may be placed between a pair of chalcogenide layers with the electrodes outbound of the two chalcogenide layers.

    摘要翻译： 相变存储单元可以由被击穿层分开的一对硫族化物相变层形成。 在使用存储器之前可以将击穿层分解，使得在击穿层内限定导电击穿点。 在某些情况下，故障点可能与周围大气良好隔离，减少热损失和降低电流消耗。 此外，在某些情况下，击穿点可能与上覆电极和下层电极很好地隔离，从而减少与污染有关的问题。 击穿点可以放置在一对硫族化物层之间，其中两个硫族化物层的电极出发。