发明授权
- 专利标题： Gate structure and method
- 专利标题（中）： 门结构和方法
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申请号： US10349686申请日： 2003-01-23
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公开(公告)号： US07535066B2公开(公告)日： 2009-05-19
- 发明人: Antonio L. P. Rotondaro , Luigi Colombo , Mark R. Visokay , Rajesh Khamankar , Douglas E. Mercer
- 申请人： Antonio L. P. Rotondaro , Luigi Colombo , Mark R. Visokay , Rajesh Khamankar , Douglas E. Mercer
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 Jacqueline J. Gamer; W. James Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76 ; H01L29/94
摘要：
A MOSFET structure including silicate gate dielectrics with nitridation treatments of the gate dielectric prior to gate material deposition.
公开/授权文献
- US20030164525A1 Gate structure and method 公开/授权日：2003-09-04
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IPC分类:
