发明授权
- 专利标题： Phase change random access memory and related methods of operation
- 专利标题（中）： 相变随机存取存储器及相关操作方法
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申请号： US11844512申请日： 2007-08-24
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公开(公告)号： US07535747B2公开(公告)日： 2009-05-19
- 发明人: Kwang-jin Lee , Woo-yeong Cho
- 申请人： Kwang-jin Lee , Woo-yeong Cho
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Volentine & Whitt, PLLC
- 优先权： KR10-2006-0084863 20060904
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
In a phase change random access memory (PRAM) device, data is programmed in selected memory cells using a plurality of program loops. In each program loop, division program operations for cell groups including the selected memory cells are performed in consecutive timeslots.
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