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发明授权
US07541225B2 Method of manufacturing a thin film transistor array panel that includes using chemical mechanical polishing of a conductive film to form a pixel electrode connected to a drain electrode 有权
制造薄膜晶体管阵列面板的方法，其包括使用导电膜的化学机械抛光来形成连接到漏电极的像素电极

  • 专利标题： Method of manufacturing a thin film transistor array panel that includes using chemical mechanical polishing of a conductive film to form a pixel electrode connected to a drain electrode
  • 专利标题（中）： 制造薄膜晶体管阵列面板的方法，其包括使用导电膜的化学机械抛光来形成连接到漏电极的像素电极
  • 申请号： US11332076
    申请日： 2006-01-13
  • 公开(公告)号： US07541225B2
    公开(公告)日： 2009-06-02
  • 发明人: Bum-Ki Baek , Hyuk-Jin Kim
  • 申请人： Bum-Ki Baek , Hyuk-Jin Kim
  • 申请人地址： KR Gyeonggi-do
  • 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
  • 代理机构： Haynes and Boone, LLP
  • 优先权： KR10-2005-0003680 20050114
  • 主分类号： H01L21/84
  • IPC分类号： H01L21/84
Method of manufacturing a thin film transistor array panel that includes using chemical mechanical polishing of a conductive film to form a pixel electrode connected to a drain electrode
摘要：
A method of manufacturing a thin film transistor array panel is provided, the method including forming a thin film transistor having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, forming a passivation layer on the source electrode and the drain electrode, forming a photoresist film on the passivation layer, selectively etching the passivation layer using the photoresist film as a mask, forming a conductive film, and removing the photoresist film along with the conductive film disposed on the photoresist film using a CMP (chemical mechanical polishing) process to form a pixel electrode being connected to the drain electrode.
摘要（中）：

提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括在衬底上形成具有栅电极，源电极和漏电极的薄膜晶体管，在源电极和漏电极上形成钝化层 在钝化层上形成光致抗蚀剂膜，使用光致抗蚀剂膜作为掩模选择性地蚀刻钝化层，形成导电膜，以及使用CMP（化学机械抛光）与设置在光致抗蚀剂膜上的导电膜一起除去光致抗蚀剂膜 ）处理以形成连接到漏电极的像素电极。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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