Method for symmetric deposition of metal layer

发明授权

US07553755B2 Method for symmetric deposition of metal layer 有权

标题翻译：金属层对称沉积方法

请登陆查看更多内容

专利标题： Method for symmetric deposition of metal layer
专利标题（中）： 金属层对称沉积方法
申请号： US11334610

申请日： 2006-01-18
公开(公告)号： US07553755B2

公开(公告)日： 2009-06-30
发明人: Sheng-Hui Hsieh , Ling-Wuu Yang , Chi-Tung Huang , Kuang-Chao Chen
申请人： Sheng-Hui Hsieh , Ling-Wuu Yang , Chi-Tung Huang , Kuang-Chao Chen
申请人地址： TW
专利权人： Macronix International Co., Ltd.
当前专利权人： Macronix International Co., Ltd.
当前专利权人地址： TW
代理机构： Baker & McKenzie LLP
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

摘要：

A method for symmetric deposition of metal layer over a metal layer registration key comprises using MOCVD to form the metal layer. Once the symmetric metal layer is formed, a metal layer registration key can be accurately detected and the metal layer registration key overlay shift can be improved.

摘要（中）：

金属层对准沉积金属层配准密钥的方法包括使用MOCVD来形成金属层。一旦形成对称金属层，就可以精确地检测金属层配准密钥，并且可以提高金属层配准密钥重叠偏移。

公开/授权文献

US20070167007A1 Methods for symmetric deposition of a metal layer in the fabrication of a semiconductor device 公开/授权日：2007-07-19

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）