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    Metal silicide formation
    2.
    发明授权
    Metal silicide formation 有权
    金属硅化物形成

    公开(公告)号：US08580680B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US12915917

    申请日：2010-10-29

    申请人： Tuung Luoh ,  Sheng Hui Hsieh ,  Ricky Huang ,  Chin-Ta Su ,  Tahone Yang ,  Kuang-Chao Chen

    发明人： Tuung Luoh ,  Sheng Hui Hsieh ,  Ricky Huang ,  Chin-Ta Su ,  Tahone Yang ,  Kuang-Chao Chen

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/66507 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

    摘要： Techniques for forming metal silicide contact pads on semiconductor devices are disclosed, and in one exemplary embodiment, a method may comprise depositing a metal layer on and between a plurality of raised silicon-based features formed on a semiconductor substrate, the metal layer comprising metal capable of reacting with external silicon-based portions of the features to form a metal silicide. In addition, such a method may also include depositing a cap layer on the metal layer deposited on and between the plurality of raised silicon-based features, wherein a thickness of the cap layer on the metal layer between the raised features is greater than or equal to a thickness of the cap layer on the metal layer on the raised features. Furthermore, such a method may also include annealing the structure to cause portions of the metal layer to react with portions of the external silicon-based portions of the features to form metal silicide pads on and between the raised features.

    摘要翻译： 公开了在半导体器件上形成金属硅化物接触焊盘的技术，并且在一个示例性实施例中，一种方法可以包括在形成在半导体衬底上的多个凸起的硅基特征之间和之间沉积金属层，所述金属层包括金属 与特征的外部硅基部分反应以形成金属硅化物。 此外，这种方法还可以包括在沉积在多个凸起的硅基特征之间和之间的金属层上沉积覆盖层，其中在凸起特征之间的金属层上的覆盖层的厚度大于或等于 到金属层上的盖层的厚度在凸起的特征​​上。 此外，这种方法还可以包括对结构进行退火以使金属层的一部分与特征的外部硅基部分的部分反应，以在凸起特征之间和之间形成金属硅化物焊盘。

    METAL SILICIDE FORMATION
    3.
    发明申请
    METAL SILICIDE FORMATION 有权
    金属硅化物形成

    公开(公告)号：US20120104516A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US12915917

    申请日：2010-10-29

    申请人： Tuung Luoh ,  Sheng Hui Hsieh ,  Ricky Huang ,  Chin-Ta Su ,  Tahone Yang ,  Kuang-Chao Chen

    发明人： Tuung Luoh ,  Sheng Hui Hsieh ,  Ricky Huang ,  Chin-Ta Su ,  Tahone Yang ,  Kuang-Chao Chen

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/66507 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

    摘要： Techniques for forming metal silicide contact pads on semiconductor devices are disclosed, and in one exemplary embodiment, a method may comprise depositing a metal layer on and between a plurality of raised silicon-based features formed on a semiconductor substrate, the metal layer comprising metal capable of reacting with external silicon-based portions of the features to form a metal silicide. In addition, such a method may also include depositing a cap layer on the metal layer deposited on and between the plurality of raised silicon-based features, wherein a thickness of the cap layer on the metal layer between the raised features is greater than or equal to a thickness of the cap layer on the metal layer on the raised features. Furthermore, such a method may also include annealing the structure to cause portions of the metal layer to react with portions of the external silicon-based portions of the features to form metal silicide pads on and between the raised features.

    摘要翻译： 公开了在半导体器件上形成金属硅化物接触焊盘的技术，并且在一个示例性实施例中，一种方法可以包括在形成在半导体衬底上的多个凸起的硅基特征之间和之间沉积金属层，所述金属层包括金属 与特征的外部硅基部分反应以形成金属硅化物。 此外，这种方法还可以包括在沉积在多个凸起的硅基特征之间和之间的金属层上沉积覆盖层，其中在凸起特征之间的金属层上的覆盖层的厚度大于或等于 到金属层上的盖层的厚度在凸起的特征​​上。 此外，这种方法还可以包括对结构进行退火以使金属层的一部分与特征的外部硅基部分的部分反应，以在凸起特征之间和之间形成金属硅化物焊盘。