发明授权
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： US10911501申请日： 2004-08-05
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公开(公告)号： US07564089B2公开(公告)日： 2009-07-21
- 发明人: Soichi Yamazaki , Katsuaki Natori , Koji Yamakawa
- 申请人： Soichi Yamazaki , Katsuaki Natori , Koji Yamakawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
- 优先权： JP2004-092434 20040326
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108
摘要：
There is disclosed a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a capacitor provided above the semiconductor substrate, and including a bottom electrode, a dielectric film formed on the bottom electrode, and a top electrode formed on the dielectric film and having a plurality of hole patterns.
公开/授权文献
- US20050212028A1 Semiconductor device 公开/授权日：2005-09-29
信息查询
IPC分类:
