发明授权
- 专利标题： Thin layer element and associated fabrication process
- 专利标题（中）： 薄层元件及相关制造工艺
-
申请号： US11211255申请日： 2005-08-19
-
公开(公告)号： US07579226B2公开(公告)日： 2009-08-25
- 发明人: Jean-Charles Barbe , Maud Vinet , Olivier Faynot
- 申请人： Jean-Charles Barbe , Maud Vinet , Olivier Faynot
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理机构： Brinks Hofer Gilson & Lione
- 优先权： FR0408989 20040819
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A method is provided for fabricating a thin layer element, in which a layer of a first material supports a pattern of a second material having a thickness of less than 15 nm, including a step of doping by implanting a chemical species over at least a portion of the layer-pattern assembly to stabilize the pattern on the layer.
公开/授权文献
- US20060060846A1 Thin layer element and associated fabrication process 公开/授权日：2006-03-23
信息查询
IPC分类:
