发明授权
- 专利标题： Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer
- 专利标题（中）： 晶圆制造方法，抛光装置和晶片
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申请号： US10181829申请日： 2001-10-22
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公开(公告)号： US07582221B2公开(公告)日： 2009-09-01
- 发明人: Shigeyoshi Netsu , Hisashi Masumura
- 申请人： Shigeyoshi Netsu , Hisashi Masumura
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Rader, Fishman & Grauer PLLC
- 优先权： JP2000-326470 20001026
- 国际申请： PCT/JP01/09240 WO 20011022
- 国际公布： WO02/35593 WO 20020502
- 主分类号： C03C15/00
- IPC分类号： C03C15/00 ; H01L21/302
摘要：
The present invention provides a wafer manufacturing method and a wafer polishing apparatus which enable control of sags in a periphery of a wafer and improvement of nanotopology values thereof that is strongly required recently, and a wafer. In a polishing process for making a mirror surface of the wafer, a back surface of the wafer is polished to produce a reference plane thereof.
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