Device with damaged breakdown layer

发明授权

US07582546B2 Device with damaged breakdown layer 有权

标题翻译：破坏层破损的装置

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专利标题： Device with damaged breakdown layer
专利标题（中）： 破坏层破损的装置
申请号： US11696754

申请日： 2007-04-05
公开(公告)号： US07582546B2

公开(公告)日： 2009-09-01
发明人: Ronald Kakoschke , Thomas Nirschl
申请人： Ronald Kakoschke , Thomas Nirschl
申请人地址： DE Neubiberg
专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人地址： DE Neubiberg
代理商 Philip H. Schlazer
主分类号： H01L21/425
IPC分类号： H01L21/425 ; H01L47/00

摘要：

A device utilizing a breakdown layer in combination with a programmable resistance material, a phase-change material or a threshold switching material. The breakdown layer having damage.

摘要（中）：

利用与可编程电阻材料，相变材料或阈值开关材料组合的击穿层的器件。击穿层有损坏。

公开/授权文献

US20080246016A1 Device With Damaged Breakdown Layer 公开/授权日：2008-10-09

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/42	....用辐射轰击的
H01L21/423	.....带有高能辐射的
H01L21/425	......产生离子注入的