发明授权
US07598544B2 Hybrid carbon nanotude FET(CNFET)-FET static RAM (SRAM) and method of making same
有权
混合碳[纳米管]纳米管FET（CNFET）-FET静态RAM（SRAM）及其制造方法
- 专利标题： Hybrid carbon nanotude FET(CNFET)-FET static RAM (SRAM) and method of making same
- 专利标题（中）： 混合碳[纳米管]纳米管FET（CNFET）-FET静态RAM（SRAM）及其制造方法
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申请号： US11332080申请日： 2006-01-13
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公开(公告)号： US07598544B2公开(公告)日： 2009-10-06
- 发明人: Claude L. Bertin , Mitchell Meinhold , Steven L. Konsek , Thomas Rueckes , Frank Guo
- 申请人： Claude L. Bertin , Mitchell Meinhold , Steven L. Konsek , Thomas Rueckes , Frank Guo
- 申请人地址： US MA Woburn
- 专利权人： Nanotero, Inc.
- 当前专利权人： Nanotero, Inc.
- 当前专利权人地址： US MA Woburn
- 代理机构： Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP
- 主分类号： H01L27/11
- IPC分类号： H01L27/11 ; H01L21/8244
摘要：
Hybrid carbon nanotube FET (CNFET), static ram (SRAM) and method of making same. A static ram memory cell has two cross-coupled semiconductor-type field effect transistors (FETs) and two nanotube FETs (NTFETs), each having a channel region made of at least one semiconductive nanotube, a first NTFET connected to the drain or source of the first semiconductor-type FET and the second NTFET connected to the drain or source of the second semiconductor-type FET.
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