公开(公告)号：US07598544B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11332080

申请日：2006-01-13

申请人： Claude L. Bertin ,  Mitchell Meinhold ,  Steven L. Konsek ,  Thomas Rueckes ,  Frank Guo

发明人： Claude L. Bertin ,  Mitchell Meinhold ,  Steven L. Konsek ,  Thomas Rueckes ,  Frank Guo

IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC分类号： G11C13/0033 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/412 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/17 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  Y10S257/903 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

摘要： Hybrid carbon nanotube FET (CNFET), static ram (SRAM) and method of making same. A static ram memory cell has two cross-coupled semiconductor-type field effect transistors (FETs) and two nanotube FETs (NTFETs), each having a channel region made of at least one semiconductive nanotube, a first NTFET connected to the drain or source of the first semiconductor-type FET and the second NTFET connected to the drain or source of the second semiconductor-type FET.

摘要翻译： 混合碳纳米管FET（CNFET），静态RAM（SRAM）及其制造方法。 静态柱式存储单元具有两个交叉耦合半导体型场效应晶体管（FET）和两个纳米管FET（NTFET），每个具有由至少一个半导体纳米管制成的沟道区域，第一NTFET连接到漏极或源极 连接到第二半导体型FET的漏极或源极的第一半导体型FET和第二NTFET。