发明授权
- 专利标题： Method for producing silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer
- 专利标题（中）： 硅外延晶片和硅外延晶片的制造方法
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申请号： US10572465申请日： 2004-09-27
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公开(公告)号： US07615116B2公开(公告)日： 2009-11-10
- 发明人: Koichi Kanaya , Tsuyoshi Nishizawa
- 申请人： Koichi Kanaya , Tsuyoshi Nishizawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oliff & Berridge, PLC
- 优先权： JP2003-342943 20031001
- 国际申请： PCT/JP2004/014080 WO 20040927
- 国际公布： WO2005/034219 WO 20050414
- 主分类号： C30B21/02
- IPC分类号： C30B21/02
摘要：
In a vapor phase growth apparatus including a reaction chamber, a susceptor, a lift pin, an upper heating device, and a lower heating device, a heating ratio between the upper heating ratio and the lower heating ratio is adjusted.
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