发明授权
- 专利标题： Gallium nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 氮化镓半导体发光器件及其制造方法
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申请号： US11443376申请日： 2006-05-31
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公开(公告)号： US07674643B2公开(公告)日： 2010-03-09
- 发明人: Jae Hoon Lee , Jung Hee Lee , Je Won Kim
- 申请人： Jae Hoon Lee , Jung Hee Lee , Je Won Kim
- 申请人地址： KR Suwon, Kyungki-Do
- 专利权人： Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon, Kyungki-Do
- 代理机构： Lowe Hauptman Ham & Berner
- 优先权： KR2003-95988 20031224
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A gallium nitride semiconductor LED includes a substrate for growing a GaN semiconductor material, an n-type GaN clad layer formed on the substrate and doped with Al, an active layer having a quantum well structure formed on the n-type GaN clad layer, and a p-type GaN clad layer formed on the active layer.
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