发明授权
- 专利标题： Transistor antifuse device
- 专利标题（中）： 晶体管反熔丝装置
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申请号： US11039157申请日： 2005-01-19
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公开(公告)号： US07679426B2公开(公告)日： 2010-03-16
- 发明人: Donald W. Schulte , Terry McMahon , David Douglas Hall
- 申请人： Donald W. Schulte , Terry McMahon , David Douglas Hall
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 主分类号： H01H37/76
- IPC分类号： H01H37/76 ; H01H85/00
摘要：
In one embodiment, a method provides a bipolar junction transistor that is coupled to a first power supply. A second power supply is utilized to turn on the bipolar junction transistor. And, the bipolar junction transistor is overdriven.
公开/授权文献
- US20060160318A1 Transistor antifuse device 公开/授权日：2006-07-20
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