发明授权
US07684230B2 Semiconductor memory device with a memory cell power supply circuit
有权
具有存储单元电源电路的半导体存储器件
- 专利标题： Semiconductor memory device with a memory cell power supply circuit
- 专利标题（中）： 具有存储单元电源电路的半导体存储器件
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申请号： US11476566申请日： 2006-06-29
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公开(公告)号： US07684230B2公开(公告)日： 2010-03-23
- 发明人: Yoshinobu Yamagami , Hiroyuki Yamauchi
- 申请人： Yoshinobu Yamagami , Hiroyuki Yamauchi
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Panasonic Corporation
- 当前专利权人： Panasonic Corporation
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
- 优先权： JP2005-194296 20050701
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C13/00
摘要：
A semiconductor memory device, including a memory cell including a flip-flop, and a memory cell power supply circuit for supplying a cell power supply voltage to the memory cell, wherein the memory cell power supply circuit supplies a cell power supply voltage in a first period and a different cell power supply voltage in a second period.
公开/授权文献
- US20070002662A1 Semiconductor memory device 公开/授权日：2007-01-04
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