发明授权
- 专利标题： Electronic circuit and method of manufacturing an electronic circuit
- 专利标题（中）： 电子电路及其制造方法
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申请号： US11852068申请日： 2007-09-07
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公开(公告)号： US07687859B2公开(公告)日： 2010-03-30
- 发明人: Christian Russ , David Trémouilles , Steven Thijs
- 申请人： Christian Russ , David Trémouilles , Steven Thijs
- 申请人地址： DE Neubiberg BE Leuven
- 专利权人： Infineon Technologies AG,IMEC VZW.
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG,IMEC VZW.
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg BE Leuven
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L23/62
- IPC分类号： H01L23/62
摘要：
An electronic circuit includes at least one field effect transistor that is to be protected against electrostatic discharge events, and at least one protection field effect transistor. The protection field effect transistor has a crystal orientation that is different from a crystal orientation of the field effect transistor to be protected.
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