Structure design for minimizing on-chip interconnect inductance

发明授权

US07705696B2 Structure design for minimizing on-chip interconnect inductance 有权

标题翻译：用于最小化片上互连电感的结构设计

请登陆查看更多内容

专利标题： Structure design for minimizing on-chip interconnect inductance
专利标题（中）： 用于最小化片上互连电感的结构设计
申请号： US11688903

申请日： 2007-03-21
公开(公告)号： US07705696B2

公开(公告)日： 2010-04-27
发明人: Hsien-Wei Chen , Hsueh-Chung Chen , Shin-Puu Jeng
申请人： Hsien-Wei Chen , Hsueh-Chung Chen , Shin-Puu Jeng
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
代理机构： Thomas, Kayden, Horstemeyer & Risley
主分类号： H01P3/08
IPC分类号： H01P3/08

Structure design for minimizing on-chip interconnect inductance

摘要：

A semiconductor device comprising a signal line and ground line is disclosed. The signal line comprises an opening and at least a portion of the ground line is in the opening in the signal line.

摘要（中）：

公开了一种包括信号线和接地线的半导体器件。信号线包括开口，并且接地线的至少一部分在信号线中的开口中。

公开/授权文献

US20080231393A1 STRUCTURE DESIGN FOR MINIMIZING ON-CHIP INTERCONNECT INDUCTANCE 公开/授权日：2008-09-25

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01P	波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B）
H01P3/00	波导；波导型传输线
H01P3/02	.带有两个纵向导体的
H01P3/08	..微带；带状线