发明授权
- 专利标题： Process for producing ZnO single crystal according to method of liquid phase growth
- 专利标题（中）： 按照液相生长方法生产ZnO单晶的方法
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申请号： US12224500申请日： 2007-02-28
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公开(公告)号： US07708831B2公开(公告)日： 2010-05-04
- 发明人: Hideyuki Sekiwa , Jun Kobayashi , Miyuki Miyamoto
- 申请人： Hideyuki Sekiwa , Jun Kobayashi , Miyuki Miyamoto
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- 当前专利权人： Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP2006-055590 20060301
- 国际申请： PCT/JP2007/054380 WO 20070228
- 国际公布： WO2007/100146 WO 20070907
- 主分类号： C30B19/00
- IPC分类号： C30B19/00 ; C30B28/10 ; C30B11/00
摘要：
A method for producing a ZnO single crystal by a liquid phase growth technique, comprising the steps of: mixing and melting ZnO as a solute and PbF2 and PbO as solvents; and putting a seed crystal or substrate into direct contact with the obtained melted solution, thereby growing a ZnO single crystal on the seed crystal or substrate.
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