发明授权
- 专利标题： Method for producing bonded wafer
- 专利标题（中）： 接合晶片的制造方法
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申请号： US12286344申请日： 2008-09-29
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公开(公告)号： US07713842B2公开(公告)日： 2010-05-11
- 发明人: Hideki Nishihata , Isoroku Ono , Akihiko Endo
- 申请人： Hideki Nishihata , Isoroku Ono , Akihiko Endo
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Sumco Corporation
- 当前专利权人： Sumco Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Sughrue Mion, PLLC
- 优先权： JP2007-265133 20071011; JP2008-226648 20080904
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30 ; H01L21/46
摘要：
In a method for producing a bonded wafer by bonding a wafer for active layer to wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, a terrace grinding for forming a terrace portion is carried out prior to a step of exposing the oxygen ion implanted layer to thereby leave an oxide film on a terrace portion of the wafer for support layer.
公开/授权文献
- US20090098707A1 Method for producing bonded wafer 公开/授权日：2009-04-16
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IPC分类:
