发明授权
- 专利标题： Ge photodetectors
- 专利标题（中）： Ge光电探测器
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申请号： US11191769申请日： 2005-07-28
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公开(公告)号： US07723754B2公开(公告)日： 2010-05-25
- 发明人: Kazumi Wada , Lionel C. Kimerling
- 申请人： Kazumi Wada , Lionel C. Kimerling
- 申请人地址： US MA Cambridge
- 专利权人： Massachusetts Institute of Technology
- 当前专利权人： Massachusetts Institute of Technology
- 当前专利权人地址： US MA Cambridge
- 代理机构： Gauthier & Connors LLP
- 主分类号： H01L29/737
- IPC分类号： H01L29/737
摘要：
A phototransistor includes an emitter and a base that comprises Ge. A collector comprises Si. The base, emitter, and collector form at least one Si/Ge heterojunction allowing the unpinning of Fermi energy level (EF) of the phototransistor.
公开/授权文献
- US20060022226A1 Ge photodetectors 公开/授权日：2006-02-02
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IPC分类:
