发明授权
- 专利标题： Integrated circuit including memory element with high speed low current phase change material
- 专利标题（中）： 集成电路包括具有高速低电流相变材料的存储元件
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申请号： US12143948申请日： 2008-06-23
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公开(公告)号： US07759770B2公开(公告)日： 2010-07-20
- 发明人: Thomas Happ , Jan Boris Philipp
- 申请人： Thomas Happ , Jan Boris Philipp
- 申请人地址： DE Munich
- 专利权人： Qimonda AG
- 当前专利权人： Qimonda AG
- 当前专利权人地址： DE Munich
- 代理机构： Dicke, Billig & Czaja, PLLC
- 主分类号： H01L29/00
- IPC分类号： H01L29/00
摘要：
An integrated circuit includes a first electrode, a second electrode, and a memory element coupled to the first electrode and to the second electrode, the memory element includes fast-operation resistance changing material doped with dielectric material.