发明授权
- 专利标题： Flash memory device using double patterning technology and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 使用双重图案化技术的闪存器件及其制造方法
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申请号： US11590207申请日： 2006-10-31
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公开(公告)号： US07787301B2公开(公告)日： 2010-08-31
- 发明人: Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
- 申请人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： F. Chau & Associates, LLC
- 优先权： KR10-2006-0091346 20060920
- 主分类号： G11C16/06
- IPC分类号： G11C16/06
摘要：
Provided are a flash memory device and a method of manufacturing the same. The flash memory device includes strings. Each of the strings has a string selection line, a ground selection line, and an odd number of word lines formed between the string selection line and the ground selection line.
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