发明授权
US07788626B2 Pattern data correction method, pattern checking method, pattern check program, photo mask producing method, and semiconductor device manufacturing method
有权
图案数据校正方法，图案检查方法，图案检查程序，光掩模制造方法和半导体器件制造方法
- 专利标题： Pattern data correction method, pattern checking method, pattern check program, photo mask producing method, and semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）： 图案数据校正方法，图案检查方法，图案检查程序，光掩模制造方法和半导体器件制造方法
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申请号： US11138407申请日： 2005-05-27
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公开(公告)号： US07788626B2公开(公告)日： 2010-08-31
- 发明人: Shigeki Nojima , Satoshi Tanaka , Toshiya Kotani , Kyoko Izuha , Soichi Inoue
- 申请人： Shigeki Nojima , Satoshi Tanaka , Toshiya Kotani , Kyoko Izuha , Soichi Inoue
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Finnegan, Henderson, Farabow, Garrett & Dunner, L.L.P.
- 优先权： JP2004-160127 20040528
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50
摘要：
A pattern data correction method is disclosed, which comprises preparing an integrated circuit pattern, setting a tolerance to the pattern that is allowable error range when the pattern is transferred on a substrate, creating a target pattern within the tolerance, and making correction for the target pattern to make a first correction pattern under a predetermined condition.
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