Formation of uniform silicate gate dielectrics

发明授权

US07799668B2 Formation of uniform silicate gate dielectrics 有权

标题翻译：均匀硅酸盐栅极电介质的形成

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专利标题： Formation of uniform silicate gate dielectrics
专利标题（中）： 均匀硅酸盐栅极电介质的形成
申请号： US11205477

申请日： 2005-08-17
公开(公告)号： US07799668B2

公开(公告)日： 2010-09-21
发明人: Hiroaki Niimi , Luigi Colombo , James J. Chambers
申请人： Hiroaki Niimi , Luigi Colombo , James J. Chambers
申请人地址： US TX Dallas
专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人地址： US TX Dallas
代理商 Warren L. Franz; Wade J. Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205

Formation of uniform silicate gate dielectrics

摘要：

The present invention provides method of forming a gate dielectric that includes forming a metal source layer (210) comprising a metal and at least one nonmetallic element over a substrate (110). The metal source layer (210) is formed having a composition rich in the metal. A dielectric layer (310) comprising the metal is formed over the metal source layer (210).

摘要（中）：

本发明提供了形成栅极电介质的方法，其包括在衬底（110）上形成包括金属和至少一种非金属元素的金属源层（210）。金属源层（210）形成为具有富含金属的组成。在金属源层（210）之上形成包括金属的电介质层（310）。

公开/授权文献

US20070042555A1 Formation of uniform silicate gate dielectrics 公开/授权日：2007-02-22

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）