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发明授权
US07811941B1 Device and method for etching a substrate using an inductively coupled plasma 有权
使用电感耦合等离子体蚀刻衬底的装置和方法

Device and method for etching a substrate using an inductively coupled plasma
摘要：
A method and a device suitable for implementing this method for etching a substrate (10), a silicon body in particular, using an inductively coupled plasma (14) are proposed. For this purpose, a radio-frequency electromagnetic alternating field is generated with an ICP source (13), the alternating field generating an inductively coupled plasma (14) of reactive particles in a reactor (15). The inductively coupled plasma (14) arises by the action of the radio-frequency electromagnetic alternating field on a reactive gas. Furthermore, a device is provided with which a plasma power injected into the inductively coupled plasma (14) via the radio-frequency electromagnetic alternating field with the ICP source (13) is capable of being pulsed so that at least from time to time a pulsed radio-frequency power can be injected into the inductively coupled plasma (14) as a pulsed radio-frequency power. In addition, the pulsed plasma power can be combined or correlated with a pulsed magnetic field and/or a pulsed substrate electrode power.
摘要（中）：

提出了一种适用于实现用于蚀刻衬底（10），特别是使用电感耦合等离子体（14）的硅体的方法和装置。 为此，利用ICP源（13）产生射频电磁交变场，所述交变场在反应器（15）中产生电感耦合等离子体（14）的反应性粒子。 电感耦合等离子体（14）由反应气体上的射频电磁交变场的作用产生。 此外，提供了一种装置，其中通过与ICP源（13）的射频电磁交变场注入到电感耦合等离子体（14）中的等离子体功率能够被脉冲，使得至少不时地具有脉冲 射频功率可以作为脉冲射频功率注入到电感耦合等离子体（14）中。 此外，脉冲等离子体功率可以与脉冲磁场和/或脉冲衬底电极功率组合或相关。

信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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