发明授权
- 专利标题： Method for fabricating semiconductor device
- 专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
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申请号： US11965734申请日： 2007-12-28
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公开(公告)号： US07816209B2公开(公告)日： 2010-10-19
- 发明人: Hong-Seon Yang , Heung-Jae Cho , Won-Joon Choi
- 申请人： Hong-Seon Yang , Heung-Jae Cho , Won-Joon Choi
- 申请人地址： KR Icheon-si
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Icheon-si
- 代理机构： Townsend and Townsend and Crew LLP
- 优先权： KR10-2007-0107357 20071024
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
A method for fabricating a semiconductor device includes forming an insulation layer over a substrate including a pattern for forming a multi-plane channel, forming a columnar polysilicon layer over the insulation layer and filling in the pattern, and performing a thermal treatment process.
公开/授权文献
- US20090111254A1 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2009-04-30
信息查询
IPC分类:
