发明授权
- 专利标题： Method and structure to reduce contact resistance on thin silicon-on-insulator device
-
申请号： US12174683申请日： 2008-07-17
-
公开(公告)号： US07833873B2公开(公告)日： 2010-11-16
- 发明人: Brian J. Greene , Louis Lu-Chen Hsu , Jack Allan Mandelman , Chun-Yung Sung
- 申请人： Brian J. Greene , Louis Lu-Chen Hsu , Jack Allan Mandelman , Chun-Yung Sung
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理机构： McGinn IP Law Group, PLLC
- 代理商 Vazken Alexanian
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76
摘要：
A method (and system) of reducing contact resistance on a silicon-on-insulator device, including controlling a silicide depth in a source-drain region of the device.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
