Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures

发明授权

US07875958B2 Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures 有权

标题翻译：量子隧穿器件和具有晶格失配的半导体结构的电路

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专利标题： Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures
专利标题（中）： 量子隧穿器件和具有晶格失配的半导体结构的电路
申请号： US11862850

申请日： 2007-09-27
公开(公告)号： US07875958B2

公开(公告)日： 2011-01-25
发明人: Zhiyuan Cheng , Calvin Sheen
申请人： Zhiyuan Cheng , Calvin Sheen
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
主分类号： H01L29/30
IPC分类号： H01L29/30

Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures

摘要：

Structures include a tunneling device disposed over first and second lattice-mismatched semiconductor materials. Process embodiments include forming tunneling devices over lattice-mismatched materials.

摘要（中）：

结构包括设置在第一和第二晶格失配的半导体材料上的隧道装置。方法实施方案包括在晶格不匹配的材料上形成隧穿装置。

公开/授权文献

US20080073641A1 QUANTUM TUNNELING DEVICES AND CIRCUITS WITH LATTICE-MISMATCHED SEMICONDUCTOR STRUCTURES 公开/授权日：2008-03-27

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/30	..按物理缺陷的特征区分的；具有光泽表面或粗糙表面的