Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber

发明授权

US07888240B2 Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber 有权

标题翻译：在脉冲DC沉积室中形成相变存储器件的方法

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专利标题： Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber
专利标题（中）： 在脉冲DC沉积室中形成相变存储器件的方法
申请号： US11974168

申请日： 2007-10-10
公开(公告)号： US07888240B2

公开(公告)日： 2011-02-15
发明人: Roger Hamamjy , Kuo-Wei Chang , Sean Jong Lee , Chong W. Lim
申请人： Roger Hamamjy , Kuo-Wei Chang , Sean Jong Lee , Chong W. Lim
申请人地址： IT Agrate Brianza
专利权人： STMicroelectronics S.R.L.
当前专利权人： STMicroelectronics S.R.L.
当前专利权人地址： IT Agrate Brianza
代理机构： Seed IP Law Group PLLC
代理商 Lisa K. Jorgenson; Karl L. Klassen
优先权： EP06425696 20061010
主分类号： H01L21/326
IPC分类号： H01L21/326

Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber

摘要：

A phase change memory including an ovonic threshold switch is formed using a pulsed direct current (DC) deposition chamber using pulsed DC. Pulsed DC is used to deposit a chalcogenide film. Pulsed DC may be also used to deposit a carbon film.

摘要（中）：

使用脉冲DC的脉冲直流（DC）沉积室形成包括二次阈值开关的相变存储器。脉冲DC用于沉积硫族化物膜。脉冲DC也可用于沉积碳膜。

公开/授权文献

US20080102560A1 Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber 公开/授权日：2008-05-01

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/326	.....电流或电场的应用，例如用于电铸成型的（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/324优先）